GW1NZ-LV1QN48C6/I5

零功耗 GW1NZ-LV1QN48C6/I5- 55nm 嵌入式闪存工艺 - LV 版本：支持 1.1V/1.2V 核电压 - ZV 版本：支持 0.9V/1.0V 核电压， 静态电流值请参考表 3-10。 - 支持时钟动态打开/关闭 - 支持动态打开/关闭用户闪存 

 电源管理模块（GW1NZ-1） - SPMI：系统电源管理接口 - 器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立 

 用户闪存资源（GW1NZ-1） - NOR Flash - 支持动态打开或关闭 - 存储容量：64K bits - 数据位宽：32 - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 支持页擦除：一页 2048 字节 - 读时间：最大 25ns - 电流 读操作：2.19mA/25ns (VCC) &  0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 编程操作/擦除操作：12/12mA (Max) - 快速页擦除/字编程操作 - 时钟频率：40MHz - 字编程操作时间：≤16μs - 页擦除时间：≤120ms 

 GW1NZ-LV1QN48C6/I5配置闪存资源（GW1NZ-1） - NOR Flash - 10,000 次写寿命周期 - 超过 10 年的数据保存能力(+85℃) 

 MIPI D-PHY RX 硬核（GW1NZ-2） - 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 器件 接口1 产品概述 1.1 特性概述 DS841-2.5 2(54) - IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX - MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps - 支持最多四个数据通道和一个时钟 通道 

 GPIO 支持以 MIPI IO 模式实现 MIPI  D-PHY RX/TX（GW1NZ-2） - 支持 MIPI CSI-2 和 DSI，RX 和 TX 器件接口 - IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、 IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX， 传输单通道速率可达 1.2Gbps - IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX， 传输速率单通道可达 1.2Gbps 

 支持多种 I/O 电平标准 - GW1NZ-1： LVCMOS33/25/18/15/12； LVTTL33，PCI，LVDS25E， BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE， RSDSE - GW1NZ-2： LVCMOS33/25/18/15/12； LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15； HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I； PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E， BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE， RSDSE - 提供输入信号迟滞选项 - 提供输出信号驱动电流选项 - 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、 上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出 选项 - 支持热插拔 - I3C 硬核，支持 SDR 模式

 丰富的基本逻辑单元 - 4 输入 LUT(LUT4) - 支持移位寄存器 - 支持分布式存储器 

 支持多种模式的静态随机存储器 - 支持双端口、单端口以及伪双端口 模式 - 支持字节写使能

 灵活的 PLL 资源 - 实现时钟的倍频、分频和相移 - 全局时钟网络资源 

 内置 Flash 编程 - 瞬时启动 - 支持安全位操作 - 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式 

 GW1NZ-LV1QN48C6/I5编程配置模式 - 支持 JTAG 配置模式

[1] 注： [1] GW1NZ-1 CG25/ FN24封装不支持 JTAG 配置模式。 - 支持多达 6 种 GowinCONFIG 配置 模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、 CPU、SERIAL、DUAL BOOT